VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源，硅烷是在完成的分解。可从下面选择：气相硅片表面n-/n+Si界面答案: 硅片表面第3章热氧化，包括：SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容第三章测试

点击这里，查看本门网课答案

VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源，硅烷是在 完成的分解。可从下面选择：气相硅片表面n-/n+Si界面 答案: 硅片表面第3章 热氧化，包括：SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容 第三章 测试